國產(chǎn)芯片傳來重大利好消息。
10月10日，據(jù)科技日報(bào)報(bào)道，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱團(tuán)隊(duì)基于存算一體計(jì)算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)（機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片，在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破，有望促進(jìn)人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》。
回到二級市場，10月10日午后，A股芯片板塊逆勢走高，存儲芯片方向領(lǐng)漲。其中，好上好強(qiáng)勢斬獲5連板，冠石科技斬獲3連板，同有科技、聚辰股份、唯捷創(chuàng)芯均大漲超10%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示，截至收盤，A股半導(dǎo)體板塊的總市值升至約31000億元。
另外，韓國芯片巨頭三星電子或?qū)⒈鲆活w“巨雷”。10月11日，三星電子將披露2023年第三季度初步業(yè)績，據(jù)LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示，7月至9月當(dāng)季三星電子的營業(yè)利潤可能將同比暴跌80%。
重大突破
10月10日，據(jù)科技日報(bào)報(bào)道，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱團(tuán)隊(duì)基于存算一體計(jì)算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)（機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片，在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破，有望促進(jìn)人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》。
該芯片包含支持完整片上學(xué)習(xí)所必需的全部電路模塊，成功完成圖像分類、語音識別和控制任務(wù)等多種片上增量學(xué)習(xí)功能驗(yàn)證，展示出高適應(yīng)性、高能效、高通用性、高準(zhǔn)確率等特點(diǎn)，有效強(qiáng)化智能設(shè)備在實(shí)際應(yīng)用場景下的學(xué)習(xí)適應(yīng)能力。
相同任務(wù)下，該芯片實(shí)現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進(jìn)工藝下專用集成電路（ASIC）系統(tǒng)的1/35，同時(shí)有望實(shí)現(xiàn)75倍的能效提升，展現(xiàn)出卓越的能效優(yōu)勢，極具滿足人工智能時(shí)代高算力需求的應(yīng)用潛力，為突破馮·諾依曼傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)下的能效瓶頸提供了一種創(chuàng)新發(fā)展路徑。
據(jù)清華大學(xué)介紹，記憶電阻器（Memristor），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后，仍能“記憶”通過的電荷，被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。
2012年，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授錢鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)開始研究用憶阻器來做存儲，但由于憶阻器的材料器件優(yōu)化和集成工藝不成熟，團(tuán)隊(duì)只能靠自己在實(shí)驗(yàn)室里摸索，在一次又一次失敗的實(shí)驗(yàn)中探索提高器件的一致性和良率。
兩年后，清華大學(xué)與中科院微電子所、北京大學(xué)等單位合作，優(yōu)化憶阻器的器件工藝，制備出高性能憶阻器陣列，成為我國率先實(shí)現(xiàn)憶阻器陣列大規(guī)模集成的重要基礎(chǔ)。
2020年，錢鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)基于多陣列憶阻器，搭建了一個(gè)全硬件構(gòu)成的完整存算一體系統(tǒng)，在這個(gè)系統(tǒng)上高效運(yùn)行了卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法，成功驗(yàn)證了圖像識別功能，比圖形處理器芯片的能效高兩個(gè)數(shù)量級，大幅提升了計(jì)算設(shè)備的算力，實(shí)現(xiàn)了以更小的功耗和更低的硬件成本完成復(fù)雜的計(jì)算。
清華大學(xué)集成電路學(xué)院博士后姚鵬介紹，該芯片參照仿生類腦處理方式，可實(shí)現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識別”，能夠有效完成邊緣計(jì)算場景下的增量學(xué)習(xí)任務(wù)，以極低的耗電適應(yīng)新場景、學(xué)習(xí)新知識，以滿足用戶的個(gè)性化需求。
該研究得到科技部科技創(chuàng)新2030“腦科學(xué)與類腦研究”重大項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金委后摩爾重大研究計(jì)劃、北京集成電路高精尖創(chuàng)新中心等支持。
逆勢大爆發(fā)
回到二級市場，在A股三大指數(shù)集體調(diào)整的背景下，10月10日午后，A股芯片板塊逆勢走高，存儲芯片方向領(lǐng)漲。其中，好上好強(qiáng)勢斬獲5連板，冠石科技斬獲3連板，同有科技、聚辰股份、唯捷創(chuàng)芯均大漲超10%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示，截至收盤，A股半導(dǎo)體板塊的總市值升至約31000億元。
周二芯片板塊逆勢走強(qiáng)，或許與以下兩則利好消息有關(guān)：
一是，10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其它許可。意味著，在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星電子、SK海力士可以向其中國工廠供應(yīng)含美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。作為全球最大和第二大存儲芯片制造商，三星電子、SK海力士在中國市場深耕多年。
二是，市場消息稱，存儲芯片價(jià)格已觸底反彈，三星等國際大廠正在醞釀漲價(jià)，漲價(jià)預(yù)期主要集中在DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）芯片領(lǐng)域。
另外，分析人士指出，華為、蘋果等多家終端廠商發(fā)布新品帶動消費(fèi)電子市場回暖，產(chǎn)業(yè)鏈上游供應(yīng)商訂單飽滿，有望迎來需求復(fù)蘇；國產(chǎn)化替代進(jìn)程有望加速；存儲芯片價(jià)格持續(xù)復(fù)蘇，主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)漲價(jià)形勢下，有望進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期。
“巨雷”將至
存儲芯片周期反轉(zhuǎn)拐點(diǎn)來臨前夕，韓國芯片巨頭三星電子或?qū)⒈鲆活w巨雷。
10月11日（周三），三星電子將披露2023年第三季度初步業(yè)績。據(jù)LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示，7月至9月當(dāng)季三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元（合15.6億美元）。而相比之下，去年該季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元。意味著，其第三季度利潤將同比暴跌80%。
作為該公司最大的收入來源的三星電子芯片部門，其季度虧損可能在3萬億至4萬億韓元之間。
根據(jù)分析師的平均預(yù)測，三星移動業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤可能在3萬億韓元左右，因?yàn)樵摴驹诒炯径韧瞥隽烁叨苏郫B式智能手機(jī)，在全球智能手機(jī)市場低迷的情況下擴(kuò)大了銷售。
導(dǎo)致利潤出現(xiàn)如此大降幅的原因是，內(nèi)存芯片價(jià)格未能如市場預(yù)期迅速回升。且分析人士表示，三星大幅削減芯片產(chǎn)量的舉措也沖擊了產(chǎn)出規(guī)模。
在4月份首次宣布減產(chǎn)后，分析師表示，三星將在第三季度進(jìn)一步減產(chǎn)，以減少庫存，抵御芯片供應(yīng)過剩導(dǎo)致的數(shù)十年來最嚴(yán)重的行業(yè)低迷。
