剛剛，半導體傳來一則大消息。
10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其它許可。意味著，在無需單獨批準的情況下，三星電子、SK海力士可以向中國工廠供應含美國技術(shù)的半導體設備。值得一提的是，全球最大和第二大存儲芯片制造商，三星電子、SK海力士在中國市場深耕多年。
另外，市場消息稱，存儲芯片價格已觸底反彈，三星等國際大廠正在醞釀漲價，漲價預期主要集中在DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片領域。二級市場上，10月9日，半導體板塊逆勢反彈，存儲芯片方向領漲。其中，好上好錄得漲停，斬獲4連板；同有科技、江波龍、東芯股份、德明利、力源信息等領漲。
值得注意的是，臺積電的3nm芯片突然被曝出良品率偏低，引發(fā)市場關注。據(jù)韓媒 ChosunBiz援引消息人士的話報道，三星電子、臺積電的3nm半導體良品率目前都僅有50%左右。另外，有分析師聲稱，iPhone 15系列手機出現(xiàn)發(fā)熱問題，可能是因為臺積電的3nm制程上存在缺陷。
半導體大消息
10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其它許可。意味著，在無需單獨批準的情況下，三星電子、SK海力士可以向中國工廠供應含美國技術(shù)的半導體設備。
韓國總統(tǒng)辦公室經(jīng)濟首席秘書崔相穆在記者會上表示，美國政府作出最終決定，將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備，無需其它許可。
崔相穆透露，美方已將這一決定通知三星電子和SK海力士等相關企業(yè)，將自即日起生效。
三星在一份聲明中表示：“通過與相關政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營相關的不確定性已大大消除。”
SK海力士也表示：“我們歡迎美國政府延長出口管制法規(guī)豁免的決定。我們相信這一決定將有助于全球半導體供應鏈的穩(wěn)定?！?/p>
回顧此前，2022年10月，拜登政府實施了全面的出口管制措施，禁止美企對中國芯片制造商出口生產(chǎn)芯片所需的設備。并規(guī)定三星電子、SK海力士需要獲得許可證才能將美國芯片制造設備帶入中國。
韓國《中央日報》分析稱，由于美國的技術(shù)控制和出口限制，韓國正失去中國巨大的半導體市場。如果中國的半導體自主速度加快，高度依賴半導體產(chǎn)業(yè)的韓國經(jīng)濟必然會蒙受損失。韓國今年的國稅收入將較預期減少59萬億韓元（約合人民幣3247億元），主要原因之一就是半導體企業(yè)業(yè)績不振。
在強烈反對下，三星、SK海力士在華工廠獲得了進口相關設備的豁免權(quán)，無需向美政府申請額外許可，豁免期限為1年，至今年10月11日。
2023年9月27日，韓聯(lián)社報道，美國預計將無限期延長韓國芯片制造商三星、SK海力士在華工廠進口美國芯片設備的豁免權(quán)。
根據(jù)無限期豁免，美國商務部將把這兩家芯片制造商添加到其“經(jīng)過驗證的最終用戶”（VEU）名單中，該名單表明哪些實體可以接收各種美國技術(shù)的出口。一旦被列入名單，芯片制造商將不再需要單獨出口案件的新許可。
值得一提的是，作為全球最大和第二大存儲芯片制造商，三星電子、SK海力士在中國市場深耕多年。其中，三星電子在中國西安生產(chǎn)NAND閃存，SK海力士在無錫工廠生產(chǎn)DRAM芯片，在大連生產(chǎn)NAND閃存，兩家公司都投資了數(shù)十億美元。
Trend Force集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年6月末，這兩家韓國企業(yè)控制著全球近70%的動態(tài)半導體存儲器（DRAM）和50%的閃存芯片（NAND）市場。
漲價信號
近日，據(jù)多家媒體報道稱，存儲芯片價格已觸底反彈，三星等國際大廠正在醞釀漲價，漲價預期主要集中在DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片領域。
據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》消息，三星電子近期與主要智能手機客戶簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，其中包括小米、OPPO及谷歌。協(xié)議中，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)幅度達到10-20%。
業(yè)內(nèi)預計，隨著下半年國內(nèi)手機品牌陸續(xù)推新以及iPhone15系列發(fā)布，上游出貨壓力將逐步緩解，存儲芯片調(diào)整周期尾聲將至，整個存儲芯片市場有望迎來拐點。
二級市場上，10月9日，半導體板塊表現(xiàn)較為亮眼，存儲芯片方向領漲，好上好斬獲漲停，已連續(xù)4個交易日錄得漲停，冠石科技、萬潤科技漲停，江波龍大漲超7%，東芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易創(chuàng)新等跟漲。
消息面上，三星電子將下調(diào)平澤三廠(P3)投資規(guī)模，并大砍DRAM、NAND Flash達產(chǎn)規(guī)模，其中NAND增設規(guī)?；蚪抵猎ㄈ种凰疁省Ｈ请娮诱{(diào)查顯示，各領域客戶存儲庫存調(diào)整已接近完成。
今年以來，三星一直堅定執(zhí)行減產(chǎn)戰(zhàn)略，今年1月、4月已連續(xù)宣布調(diào)整晶圓投入。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在DRAM領域，之后下半年三星著手大幅削減NAND Flash業(yè)務產(chǎn)量。
分析人士指出，三星的目標是，擴大減產(chǎn)規(guī)模，降低供應量，再提高產(chǎn)品價格來尋求反轉(zhuǎn)。三星預計，從2024年開始將會有部分地區(qū)的DRAM和NAND Flash供應出現(xiàn)短缺。
SK證券研究員Han Dong-hee認為，三星的第二波減產(chǎn)計劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動存儲芯片價格反彈。
臺積電突傳利空
據(jù)韓媒 ChosunBiz 報道，消息人士稱，三星電子、臺積電的3nm半導體良品率目前都僅有50%左右。這一水平還不足以吸引硬件供應商的目光。
報道稱，據(jù)一位熟悉三星的人士透露，要贏得高通等大客戶明年的3納米移動芯片訂單，良率至少需要提高到70%。
至于臺積電，雖然作為目前唯一一家擁有3nm量產(chǎn)記錄的公司，但其產(chǎn)量同樣低于最初預期。有分析師表示，臺積電3nm工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu)，可能“未能控制”過熱問題。
值得一提的是，自蘋果iPhone 15/Pro系列手機自發(fā)布以來，收到了許多用戶關于手機發(fā)熱的報告，相關話題一度沖上熱搜，引發(fā)熱議。近日，有分析師聲稱，iPhone 15系列手機出現(xiàn)發(fā)熱問題，可能是因為臺積電的3納米制程上存在缺陷。臺積電在3納米工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu)，沒能很好地控制過熱問題。
而蘋果方面則堅稱，發(fā)熱問題純粹是軟件問題，并已經(jīng)為iOS 17發(fā)布了補丁來解決這個問題。
此前，天風國際分析師郭明錤在社交平臺上發(fā)文，針對目前蘋果iPhone 15 Pro手機過熱問題進行了解讀，并表示，“與臺積電3nm制程無關”。主要可能是為了讓重量更輕，因此對散熱系統(tǒng)設計作出了妥協(xié)，像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。
