海詩(shī)網(wǎng) 頭條熱點(diǎn) 半導(dǎo)體大消息!美國(guó)同意三星電子、SK海力士向華提供設(shè)備

半導(dǎo)體大消息!美國(guó)同意三星電子、SK海力士向華提供設(shè)備

剛剛,半導(dǎo)體傳來(lái)一則大消息。

10月9日,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào),美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備,無(wú)需其它許可。意味著,在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下,三星電子、SK海力士可以向中國(guó)工廠供應(yīng)含美國(guó)技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。值得一提的是,全球最大和第二大存儲(chǔ)芯片制造商,三星電子、SK海力士在中國(guó)市場(chǎng)深耕多年。

另外,市場(chǎng)消息稱,存儲(chǔ)芯片價(jià)格已觸底反彈,三星等國(guó)際大廠正在醞釀漲價(jià),漲價(jià)預(yù)期主要集中在DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片領(lǐng)域。二級(jí)市場(chǎng)上,10月9日,半導(dǎo)體板塊逆勢(shì)反彈,存儲(chǔ)芯片方向領(lǐng)漲。其中,好上好錄得漲停,斬獲4連板;同有科技、江波龍、東芯股份、德明利、力源信息等領(lǐng)漲。

值得注意的是,臺(tái)積電的3nm芯片突然被曝出良品率偏低,引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。據(jù)韓媒 ChosunBiz援引消息人士的話報(bào)道,三星電子、臺(tái)積電的3nm半導(dǎo)體良品率目前都僅有50%左右。另外,有分析師聲稱,iPhone 15系列手機(jī)出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題,可能是因?yàn)榕_(tái)積電的3nm制程上存在缺陷。

半導(dǎo)體大消息

10月9日,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào),美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備,無(wú)需其它許可。意味著,在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下,三星電子、SK海力士可以向中國(guó)工廠供應(yīng)含美國(guó)技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。

韓國(guó)總統(tǒng)辦公室經(jīng)濟(jì)首席秘書崔相穆在記者會(huì)上表示,美國(guó)政府作出最終決定,將無(wú)限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,無(wú)需其它許可。

崔相穆透露,美方已將這一決定通知三星電子和SK海力士等相關(guān)企業(yè),將自即日起生效。

三星在一份聲明中表示:“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)相關(guān)的不確定性已大大消除?!?/p>

SK海力士也表示:“我們歡迎美國(guó)政府延長(zhǎng)出口管制法規(guī)豁免的決定。我們相信這一決定將有助于全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定?!?/p>

回顧此前,2022年10月,拜登政府實(shí)施了全面的出口管制措施,禁止美企對(duì)中國(guó)芯片制造商出口生產(chǎn)芯片所需的設(shè)備。并規(guī)定三星電子、SK海力士需要獲得許可證才能將美國(guó)芯片制造設(shè)備帶入中國(guó)。

韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》分析稱,由于美國(guó)的技術(shù)控制和出口限制,韓國(guó)正失去中國(guó)巨大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。如果中國(guó)的半導(dǎo)體自主速度加快,高度依賴半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的韓國(guó)經(jīng)濟(jì)必然會(huì)蒙受損失。韓國(guó)今年的國(guó)稅收入將較預(yù)期減少59萬(wàn)億韓元(約合人民幣3247億元),主要原因之一就是半導(dǎo)體企業(yè)業(yè)績(jī)不振。

在強(qiáng)烈反對(duì)下,三星、SK海力士在華工廠獲得了進(jìn)口相關(guān)設(shè)備的豁免權(quán),無(wú)需向美政府申請(qǐng)額外許可,豁免期限為1年,至今年10月11日。

2023年9月27日,韓聯(lián)社報(bào)道,美國(guó)預(yù)計(jì)將無(wú)限期延長(zhǎng)韓國(guó)芯片制造商三星、SK海力士在華工廠進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備的豁免權(quán)。

根據(jù)無(wú)限期豁免,美國(guó)商務(wù)部將把這兩家芯片制造商添加到其“經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶”(VEU)名單中,該名單表明哪些實(shí)體可以接收各種美國(guó)技術(shù)的出口。一旦被列入名單,芯片制造商將不再需要單獨(dú)出口案件的新許可。

值得一提的是,作為全球最大和第二大存儲(chǔ)芯片制造商,三星電子、SK海力士在中國(guó)市場(chǎng)深耕多年。其中,三星電子在中國(guó)西安生產(chǎn)NAND閃存,SK海力士在無(wú)錫工廠生產(chǎn)DRAM芯片,在大連生產(chǎn)NAND閃存,兩家公司都投資了數(shù)十億美元。

Trend Force集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,截至2023年6月末,這兩家韓國(guó)企業(yè)控制著全球近70%的動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(DRAM)和50%的閃存芯片(NAND)市場(chǎng)。

漲價(jià)信號(hào)

近日,據(jù)多家媒體報(bào)道稱,存儲(chǔ)芯片價(jià)格已觸底反彈,三星等國(guó)際大廠正在醞釀漲價(jià),漲價(jià)預(yù)期主要集中在DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片領(lǐng)域。

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息,三星電子近期與主要智能手機(jī)客戶簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,其中包括小米、OPPO及谷歌。協(xié)議中,DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)幅度達(dá)到10-20%。

業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì),隨著下半年國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推新以及iPhone15系列發(fā)布,上游出貨壓力將逐步緩解,存儲(chǔ)芯片調(diào)整周期尾聲將至,整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望迎來(lái)拐點(diǎn)。

二級(jí)市場(chǎng)上,10月9日,半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)較為亮眼,存儲(chǔ)芯片方向領(lǐng)漲,好上好斬獲漲停,已連續(xù)4個(gè)交易日錄得漲停,冠石科技、萬(wàn)潤(rùn)科技漲停,江波龍大漲超7%,東芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易創(chuàng)新等跟漲。

半導(dǎo)體大消息!美國(guó)同意三星電子、SK海力士向華提供設(shè)備

半導(dǎo)體大消息!美國(guó)同意三星電子、SK海力士向華提供設(shè)備

消息面上,三星電子將下調(diào)平澤三廠(P3)投資規(guī)模,并大砍DRAM、NAND Flash達(dá)產(chǎn)規(guī)模,其中NAND增設(shè)規(guī)?;蚪抵猎ㄈ种凰疁?zhǔn)。三星電子調(diào)查顯示,各領(lǐng)域客戶存儲(chǔ)庫(kù)存調(diào)整已接近完成。

今年以來(lái),三星一直堅(jiān)定執(zhí)行減產(chǎn)戰(zhàn)略,今年1月、4月已連續(xù)宣布調(diào)整晶圓投入。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在DRAM領(lǐng)域,之后下半年三星著手大幅削減NAND Flash業(yè)務(wù)產(chǎn)量。

分析人士指出,三星的目標(biāo)是,擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模,降低供應(yīng)量,再提高產(chǎn)品價(jià)格來(lái)尋求反轉(zhuǎn)。三星預(yù)計(jì),從2024年開始將會(huì)有部分地區(qū)的DRAM和NAND Flash供應(yīng)出現(xiàn)短缺。

SK證券研究員Han Dong-hee認(rèn)為,三星的第二波減產(chǎn)計(jì)劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格反彈。

臺(tái)積電突傳利空

據(jù)韓媒 ChosunBiz 報(bào)道,消息人士稱,三星電子、臺(tái)積電的3nm半導(dǎo)體良品率目前都僅有50%左右。這一水平還不足以吸引硬件供應(yīng)商的目光。

報(bào)道稱,據(jù)一位熟悉三星的人士透露,要贏得高通等大客戶明年的3納米移動(dòng)芯片訂單,良率至少需要提高到70%。

至于臺(tái)積電,雖然作為目前唯一一家擁有3nm量產(chǎn)記錄的公司,但其產(chǎn)量同樣低于最初預(yù)期。有分析師表示,臺(tái)積電3nm工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu),可能“未能控制”過(guò)熱問(wèn)題。

值得一提的是,自蘋果iPhone 15/Pro系列手機(jī)自發(fā)布以來(lái),收到了許多用戶關(guān)于手機(jī)發(fā)熱的報(bào)告,相關(guān)話題一度沖上熱搜,引發(fā)熱議。近日,有分析師聲稱,iPhone 15系列手機(jī)出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題,可能是因?yàn)榕_(tái)積電的3納米制程上存在缺陷。臺(tái)積電在3納米工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu),沒能很好地控制過(guò)熱問(wèn)題。

而蘋果方面則堅(jiān)稱,發(fā)熱問(wèn)題純粹是軟件問(wèn)題,并已經(jīng)為iOS 17發(fā)布了補(bǔ)丁來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。

此前,天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤在社交平臺(tái)上發(fā)文,針對(duì)目前蘋果iPhone 15 Pro手機(jī)過(guò)熱問(wèn)題進(jìn)行了解讀,并表示,“與臺(tái)積電3nm制程無(wú)關(guān)”。主要可能是為了讓重量更輕,因此對(duì)散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)作出了妥協(xié),像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。

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