小米、OPPO及谷歌等均已簽署該內(nèi)存供貨協(xié)議。
韓國內(nèi)存芯片廠商已決定提高其最新芯片的價格，漲價可能會持續(xù)到四季度。
上游多家原廠已拉高晶圓合約價，終端開始搶貨，消費性SSD、存儲卡，手機相關零組件如eMMC、eMCP價格全面走揚。
存儲再次吹起漲價的風。
據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》援引知情人士消息稱，三星近期與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。
手機廠商為何接受漲價？知情人士稱，這些廠商預計智能手機銷量有望增加，特別是在海外市場。
與此同時，三星還計劃以更高價格，向自家生產(chǎn)Galaxy系列手機的移動業(yè)務部門供應存儲芯片，以此反應移動芯片價格上漲的趨勢。
另據(jù)臺媒今日報道，三星、鎧俠及SK海力士等上游NAND Flash原廠已開始拉高晶圓合約價。由于中間通路及下游系統(tǒng)模組廠手中庫存低于正常季節(jié)水準，引發(fā)終端搶貨，消費性SSD、存儲卡，手機相關零組件如eMMC、eMCP價格全面走揚。供應鏈表示，目前平均漲幅約在個位數(shù)左右，由于部分存儲產(chǎn)品庫存水位相對較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。
TrendForce稱，韓國內(nèi)存芯片廠商已決定提高其最新芯片的價格，漲價可能會持續(xù)到四季度。
該機構日前發(fā)布的另一篇研報顯示，NAND Flash Wafer合約價已在8月反彈，且隨著減產(chǎn)幅度擴大，客戶備貨力度有望回升，有效支撐9月NAND Flash晶圓合約價續(xù)漲。該機構預計，預計Q4 NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，環(huán)比漲幅約0~5%。
還有業(yè)內(nèi)人士透露，NAND閃存客戶不再削減訂單量，轉而開始增加訂單。
當然，漲價的風并非僅限于NAND閃存——在DRAM市場，得益于LPDDR5X等智能手機相關存儲新品帶動，DRAM芯片價格也開始逐步上漲。
▌減產(chǎn)，再減產(chǎn)
本次大幅提價的三星已加大NAND閃存減產(chǎn)力度，預計到2023年底減產(chǎn)幅度將達50%。公司已在上半年將NAND閃存產(chǎn)量削減了20%。下半年以來，三星減產(chǎn)的步伐有所加快，已將NAND閃存產(chǎn)量縮減約40%。
同時，其他供應商預計也將跟進擴大四季度減產(chǎn)幅度，旨在加速庫存去化。
另據(jù)Omdia預計，2024年下半年三星DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片，較目前水平進一步減少。
業(yè)內(nèi)人士指出，相較于今年早些時候給出的年度計劃，存儲芯片制造商正著手進一步削減實際資本支出和晶圓投入量，降幅甚至超過50%。
在這種情況下，今年DRAM及NAND閃存位供應降幅或在10%之上。
隨著龍頭減產(chǎn)，存儲市場拐點已隱隱顯現(xiàn)，信達證券指出，前期存儲原廠減產(chǎn)效應或已顯現(xiàn)，庫存去化效果明顯，并且伴隨著市場備貨旺季到來，整體出貨節(jié)奏加快，價格或已顯現(xiàn)拐點，存儲周期有望開啟復蘇。
